Zn_2SiO_4∶Ga蓝紫色长余辉的发光特性 |
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作者姓名: | 陈文新 张静娴 易守军 刘应亮 袁定胜 容建华 黄浪欢 |
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作者单位: | 暨南大学化学系,暨南大学化学系,暨南大学化学系,暨南大学化学系,暨南大学化学系,暨南大学化学系,暨南大学化学系 广东广州510632,广东广州510632,广东广州510632,广东广州510632,广东广州510632,广东广州510632,广东广州510632 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(59982003、20171018),广东省自然科学基金(990484、013201、36706)资助项目. |
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摘 要: | 在高温下合成了Zn2SiO4长余辉发光材料;对掺杂Ga后的Zn2SiO4长余辉发光材料的激发光谱、发射光谱、余辉光谱以及衰减曲线进行分析,指出该材料基质中氧缺陷能级和锌缺陷能级是材料的发光中心;掺杂Ga后的GaZn能级能吸收光子,同时能储存电子,停止激发后,储存的电子缓慢释放,从而产生长余辉发光;同时分析了不同Ga掺杂质量分数对发光强度的影响,指出掺杂质量分数为2%时的发光效果最好;并提出了一个材料发光及长余辉发光模型.
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关 键 词: | 硅酸锌 长余辉发光 氧缺陷能级 |
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