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| 多晶硅薄膜生长因素的分析 | |
| 引用本文： | 赵培文 ,马灵芝.多晶硅薄膜生长因素的分析[J].大连理工大学学报,1985(3). |
| 作者姓名： | 赵培文 马灵芝 |
| 基金项目： | 中国科学院科学基金资助的课题。 |
| 摘 要： | 近些年来,多晶硅薄膜已广泛地应用在半导体器件上,例如大规模集成电路、太阳能电池等。尽管应用的如此广泛,但由干对多晶硅物理特性的了解尚不是十分充分,因而给器件生产带来一定的盲目性。因此,生长优质多晶硅薄膜并弄清楚生长过程中各个因素之间的关系,对研究多晶硅的物理特性是很有必要的。为此,对多晶硅的生长速率与淀积时间的关系、掺杂剂对多晶硅薄膜生长的影响、淀积温度对多晶硅薄膜生长的影响进行了研究和讨论。 采用常规的硅烷热分解化学气相淀积方法(APCVD)生长多晶硅薄膜,用 WDL-31光电温度计测量多晶硅薄膜淀积温度,用6JA… |
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