| 纳米SiC掺杂MgB2超导带材的制备及其性能研究 |
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| 引用本文： | 张现平,马衍伟,高召顺,王栋梁,禹争光,Watanabe Kazuo,郭建栋.纳米SiC掺杂MgB2超导带材的制备及其性能研究[J].科学通报,2006,51(22):2598-2601. |
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| 作者姓名： | 张现平 马衍伟 高召顺 王栋梁 禹争光 Watanabe Kazuo 郭建栋 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院电工研究所应用超导实验室,北京,100080
2. 日本东北大学材料研究所,仙台980-8577,日本
3. 北京大学物理学院,北京,100871 |
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| 基金项目： | 致谢 感谢焦玉磊、肖玲、白学东、李晓航、肖立业和闻海虎等老师的讨论与帮助;感谢北京大学陈莉、王永忠、张炎和中国科学院物理研究所黄维文等老师在测试方面给予的帮助.本工作受国家自然科学基金（批准号：50472063,50377040）和国家重点基础研究发展计划（编号：2006CB-601004）资助. |
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| 摘 要： | 采用粉末装管法制备了SiC掺杂的MgB2带材系列样品. 通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜和超导量子干涉仪等仪器对样品进行了表征. 实验结果表明, SiC掺杂对于提高MgB2带材的超导性能具有十分有效的作用. 掺杂量为5%时, 在4.2 K和10 T条件下, 掺杂样品的临界电流密度高达9024 A/cm2, 是未掺杂样品的32倍多. 掺杂样品在高磁场下具有良好的临界电流性能主要归因于C对B的替代所产生的晶格畸变、位错等缺陷和局部成分变化而导致的有效晶内钉扎作用, 同时由于掺杂而提高的晶粒连接性也对临界电流密度的提高起到一定作用.
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| 关 键 词： | MgB2带材 SiC掺杂 临界电流性能 机理 |
| 收稿时间： | 2006-05-16 |
| 修稿时间： | 2006-05-162006-10-20 |
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