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调制增益导引GaAs/GaAlAs锁相激光器阵列
作者姓名:张喜田 孙凯霞
作者单位:[1]哈尔滨师范大学 [2]哈尔滨教师进修学校
摘    要:首次利用液相外延标准光刻工艺,两次质子轰击方法,研究和制作 了调制增益导引GaAs/GaAlAs锁相激光器阵列。

关 键 词:调制增益导引 砷化镓 半导体激光器 GaAlAs
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