| 包含纳米硅(nc-Si)晶粒MOS结构中的共振隧穿和库仑阻塞现象 |
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| 引用本文： | 吴良才,戴敏,黄信凡,李伟,陈坤基.包含纳米硅(nc-Si)晶粒MOS结构中的共振隧穿和库仑阻塞现象[J].山东科技大学学报(自然科学版),2003,22(Z1):50-52. |
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| 作者姓名： | 吴良才 戴敏 黄信凡 李伟 陈坤基 |
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| 作者单位： | 南京大学,物理系,江苏,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(6007019);国家973项目(2001CBG10503);江苏省自然科学基金项目(GB2001002,BK2001028) |
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| 摘 要： | 采用等离子体氧化和逐层(layer-by-layer)生长技术在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中原位制备了Al/SiO2/nc-Si/SiO2/p-Si纳米结构.利用变频电容-电压测量研究了该结构的电学性质,在室温下首次观察到电容峰现象.实验得到的单电子库仑充电能与理论上用电容模型算得的结果一致.
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| 关 键 词： | 纳米硅(nc-Si) 电容-电压特性 共振隧穿 库仑阻塞 |
| 文章编号： | 1672-3767(2003)Sup.-0050-03 |
Resonant Tunneling and Coulomb Blockade in MOS Structure Containing Nanocrystalline Silicon |
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