| Si1-x-yGexCy合金薄膜电学性能的研究 |
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| 引用本文： | 王印月,刘雪芹,郭秋芬,龚恒翔,甄聪棉,杨映虎. Si1-x-yGexCy合金薄膜电学性能的研究[J]. 兰州大学学报(自然科学版), 2000, 36(1): 24-27 |
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| 作者姓名： | 王印月 刘雪芹 郭秋芬 龚恒翔 甄聪棉 杨映虎 |
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| 作者单位： | 兰州大学,物理科学与技术学院,甘肃,兰州,730000 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目，君政基金 |
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| 摘 要： | 采用射频共溅射复合靶（Ｓｉ＋Ｇｅ＋石墨Ｃ）技术制备Ｓｉ１－ｘ－ｙＧｅｘＣｙ三元合金薄膜，Ｓｉ，Ｇｅ和Ｃ的含量用其靶的相对面积来表示，对样品的后退火处理是在Ｎ２气保护下恒温３０ｍｉｎ后自然降温到室温。通过ＩＲ，Ｒａｍａｎ的ＸＰＳ的测量结果表明，所制备的薄膜中含有Ｓｉ，Ｇｅ，Ｃ３种元素，有较明显的Ｓｉ－Ｃ，Ｓｉ－Ｇｅ，Ｇｅ－Ｃ键合。通过电阻率－温度谱ρ－Ｔ的测量研究薄膜的电学性能，测量了不同Ｃ含量和不
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| 关 键 词： | 合金薄膜 电阻率 退火 三元合金 |
| 修稿时间： | ： |
Electrical Properties of Si1-x-yGexCy Alloy Films |
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| Wang Yinyue,Liu Xueqin,Guo Qiufen,Gong Hengxiang,Zhen Congmian,Yang Yinghu. Electrical Properties of Si1-x-yGexCy Alloy Films[J]. Journal of Lanzhou University(Natural Science), 2000, 36(1): 24-27 |
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| Authors: | Wang Yinyue Liu Xueqin Guo Qiufen Gong Hengxiang Zhen Congmian Yang Yinghu |
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