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Si纳米线器件及其研究进展
引用本文:彭英才,张志刚,李俊颖,娄建忠.Si纳米线器件及其研究进展[J].河北大学学报(自然科学版),2011,31(3):325-330.
作者姓名:彭英才  张志刚  李俊颖  娄建忠
作者单位:河北大学电子信息工程学院,河北,保定,071002
基金项目:河北省自然科学基金资助项目
摘    要:Si纳米线是一种新型的准一维纳米半导体材料,具有独特的电子输运特性、场发射特性和光学特性等.本文对利用Si纳米线制备的各类电子器件,例如存储器、场效应晶体管、化学传感器和太阳能电池的研究进展做了简要评述.最后,对Si纳米线的应用前景进行了初步展望.

关 键 词:Si纳米线  纳米线器件  研究进展

Si-based Nanowire Devices and Their Development
PENG Ying-cai,ZHANG Zhi-gang,LI Jun-ying,LOU Jian-zhong.Si-based Nanowire Devices and Their Development[J].Journal of Hebei University (Natural Science Edition),2011,31(3):325-330.
Authors:PENG Ying-cai  ZHANG Zhi-gang  LI Jun-ying  LOU Jian-zhong
Institution:(College of Electronic and Informational Engineering,Hebei University,Baoding 071002,China)
Abstract:As a novel one-dimensional semiconductor material,silicon nanowires(SiNWs) have excellent field mission,electrical transport,and optical properties.In this review,we mainly focus on the recent developments of SiNWs used for memory,field emission device,sensors and solar cells.Finally,major challenges and promises of SiNWs in this field are simply dicussed.
Keywords:Si nanowire  nano device  research development
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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