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退火温度对Nb掺杂SrTiO3薄膜光电化学性能的影响
引用本文:王改田 涂江平 王淑芬 王秀丽. 退火温度对Nb掺杂SrTiO3薄膜光电化学性能的影响[J]. 中山大学学报(自然科学版), 2007, 46(B06): 15-16
作者姓名:王改田 涂江平 王淑芬 王秀丽
作者单位:浙江大学材料科学与工程系,浙江杭州310027
摘    要:研究了Nb掺杂SrTiO3薄膜的光电化学性能及其对储氢合金薄膜的光充电性能。采用射频磁控溅射将SrTiO3薄膜沉积在镍片基体上,在300-600℃退火处理后,采用直流磁控溅射将LaNi3.9Al1.3储氢合金薄膜沉积在镍片基体的背面构成SrTiO3/Ni/储氢合金电极。随着Nb掺杂SrTiO3薄膜热处理温度的升高,阳极光电流和光充电性能先增大后减小。

关 键 词:钛酸锶 储氢合金 光充电 退火温度
文章编号:0529-6579(2007)S1-0015-02
修稿时间:2007-01-10

Influence of Annealing Temperature on Photoelectrochemical Performance of Nb-doped SrTiO3 Film
WANG Gai-tian, TU Jing-ping, WANG Shu-fen, WANG Xiu-li. Influence of Annealing Temperature on Photoelectrochemical Performance of Nb-doped SrTiO3 Film[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2007, 46(B06): 15-16
Authors:WANG Gai-tian   TU Jing-ping   WANG Shu-fen   WANG Xiu-li
Affiliation:Department of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China
Abstract:
Keywords:Strontium titanate   hydrogen storage alloy   photoelectrochemical performance   annealing temperature
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