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射频溅射金属前驱体硫化法制备的Cu2ZnSnS4薄膜
引用本文:张军,付玉军,邵栋,邵乐喜.射频溅射金属前驱体硫化法制备的Cu2ZnSnS4薄膜[J].中山大学学报(自然科学版),2007,46(B06):32-34.
作者姓名:张军  付玉军  邵栋  邵乐喜
作者单位:[1]湛江师范学院物理科学与技术学院,广东湛江524048 [2]兰州大学物理科学与技术学院,甘肃兰州730000 [3]浙江大学生物医学工程与仪器科学学院,浙江杭州310027
基金项目:国家自然科学基金资助项目(10574106).
摘    要:采用射频溅射技术沉积Cu/Sn/Zn金属前驱体叠层结合硫化技术在玻璃衬底上成功制备了Cu2ZnSnS4薄膜。X-射线衍射分析表明,通过优化制备条件可以获得单一黝锡矿结构且具有(221)择优取向的Cu2ZnSnS4薄膜。霍尔效应和紫外可见透过谱测量表明,样品的薄膜电阻、吸收系数和光学带隙分别达到0.073Ω·cm,10^4cm^-1和1.53eV,具有适合作为薄膜太阳电池吸收层应用的可能性。

关 键 词:Cu2ZnSnS4薄膜  太阳电池  射频磁控溅射
文章编号:0529-6579(2007)S1-0032-03
修稿时间:2007-01-10

The Stannite CuzZnSnS4 Thin Films Prepared by Sulfurization of rf Magnetron Sputtered Metal Precursors
ZHANG Jun, FU Yujun, SHAO Dong, SHAO Lex.The Stannite CuzZnSnS4 Thin Films Prepared by Sulfurization of rf Magnetron Sputtered Metal Precursors[J].Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni,2007,46(B06):32-34.
Authors:ZHANG Jun  FU Yujun  SHAO Dong  SHAO Lex
Institution:School of Physical Science and Technology, Zhanjiang Normal University, Zhanjiang 524048, China; School of Physical Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou730000, China; College of Biomedical Engineering and Instrument Science, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China.
Abstract:
Keywords:Cu2ZnSnS4  thin film  solar-cell  rf magnetron sputtering  
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