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P-N~ -N-P锗漂移型三极管低频h参数的温度关系
引用本文:黄均鼐,阮刚.P-N~ -N-P锗漂移型三极管低频h参数的温度关系[J].复旦学报(自然科学版),1964(3).
作者姓名:黄均鼐  阮刚
摘    要:样品的描述本工作测试了P-N~ -N-P锗漂移型三极管低频h参数的温度关系.所采用的样品是在高阻的N型锗基片上扩散一层强N型层,然后用合金方法在锗片两面制成P型区的发射极和集电极,其结构示意图如图1所示.

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