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| C轴择优取向ZnO薄膜的微区压电特性分析 | |
| 引用本文： | 程和,李燕,邓宏.C轴择优取向ZnO薄膜的微区压电特性分析[J].四川大学学报(自然科学版),2005(Z1). |
| 作者姓名： | 程和 李燕 邓宏 |
| 作者单位： | [1]电子科技大学微电子与固体电子学院 [2]成都 |
| 摘 要： | 采用激光脉冲沉积系统在Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜.利用X射线衍射方法对其结构进行了表征,结果表明,所制备的ZnO薄膜具有优良的c轴取向和高质量的结晶度.采用扫描隧道显微镜测得ZnO薄膜微区的压电常数d33大约为13.8pm/V.并根据微区压电特性与ZnO薄膜的生长具有极性的特点对薄膜的生长机理进行了研究.得出了ZnO的生长方向为0001],从而证实了ZnO薄膜生长过程中(0001)Zn面是易生长面. |
| 关 键 词： | ZnO薄膜 择优取向 微区压电特性 极性 |
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