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使用背靠背MOS变容管的低噪声全数控LC振荡器
引用本文:王少华,于光明,刘勇攀,杨华中.使用背靠背MOS变容管的低噪声全数控LC振荡器[J].清华大学学报(自然科学版),2008,48(7).
作者姓名:王少华  于光明  刘勇攀  杨华中
基金项目:国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划(863计划)
摘    要:为了解决全数控电感电容振荡器(fully digitally controlled inductor-capacitor oscillator, DCO)大信号工作时所引起的数控变容管的非线性问题,在对该种非线性进行分析的基础上,提出一种背靠背串联数控金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor, MOS)变容管.该结构通过将两支MOS变容管反方向串联,有效改善了非线性,从而降低了DCO的相位噪声.在中芯国际0.18 μm 互补MOS工艺下设计了采用背靠背串联数控MOS变容管的DCO.仿真结果表明: 当该DCO振荡在3.4 GHz的中心频率时,在1.2 MHz频偏处的相位噪声为-129.4 dBc/Hz, 与使用普通数控MOS变容管的DCO相比,其相位噪声最多可改善8.1 dB.

关 键 词:集成电路  金属氧化物半导体(MOS)  电感电容振荡器  相位噪声  变容管

Low noise fully digitally controlled LC oscillator with back-to-back in series MOS varactors
WANG Shaohua,YU Guangming,LIU Yongpan,YANG Huazhong.Low noise fully digitally controlled LC oscillator with back-to-back in series MOS varactors[J].Journal of Tsinghua University(Science and Technology),2008,48(7).
Authors:WANG Shaohua  YU Guangming  LIU Yongpan  YANG Huazhong
Abstract:
Keywords:
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