| 硅基集成电路的发展及其面临的挑战 |
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| 引用本文： | 方志鸣.硅基集成电路的发展及其面临的挑战[J].合肥工业大学学报(自然科学版),2004,27(11):1485-1488. |
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| 作者姓名： | 方志鸣 |
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| 作者单位： | 黄山学院,物理系,安徽,黄山,245021 |
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| 基金项目： | 安徽省教育厅自然科学基金资助项目(2000jl235) |
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| 摘 要： | 文章跟踪微电子技术的发展对深亚微米各技术时代ULSI的发展历程中所遇到的一些材料、技术物理问题及研究成果进行综述评论,。这些问题包括Cu/低ε介质互连系统、CMOS器件运作的内在结构及电接触问题、高ε栅极氧化物材料、SOI、SiGe、SiGe-OI以及大直径硅单晶片等。微电子技术的发展已逼近微电子器件的物理极限,并将逐步发展到它的下一代——纳米电子器件,人类对物质世界的认识也将提高到一个新阶段。
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| 关 键 词： | Cu/低ε互连系统 高ε栅极材料 绝缘层上的硅(SOI) |
| 文章编号： | 1003-5060(2004)11-1485-04 |
| 修稿时间： | 2004年3月2日 |
Development and facing challenges of silicon-based integrated circuits |
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| FANG Zhi-ming.Development and facing challenges of silicon-based integrated circuits[J].Journal of Hefei University of Technology(Natural Science),2004,27(11):1485-1488. |
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| Authors: | FANG Zhi-ming |
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