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半导体表面薄膜的有效量子限制长度和极化子研究
引用本文:李华,刘炳灿,田强.半导体表面薄膜的有效量子限制长度和极化子研究[J].北京师范大学学报(自然科学版),2017,53(4):395-398.
作者姓名:李华  刘炳灿  田强
作者单位:装甲兵工程学院基础部,100072,北京;北京师范大学物理学系,100875,北京
基金项目:国家自然科学基金资助项目
摘    要:采用提出的等效方法, 确定AlxGa1-xAs衬底上GaAs表面薄膜的量子限制长度, 在此基础上确定了GaAs薄膜的分数维, 进一步利用分数维方法研究了AlxGa1-xAs衬底上GaAs表面薄膜中的极化子特性. 

关 键 词:有效量子限制长度  分数维方法  极化子  GaAs薄膜

Effective length of quantum confinement and polaron characteristics in semiconductor surface films
LI Hua,LIU Bingcan,TIAN Qiang.Effective length of quantum confinement and polaron characteristics in semiconductor surface films[J].Journal of Beijing Normal University(Natural Science),2017,53(4):395-398.
Authors:LI Hua  LIU Bingcan  TIAN Qiang
Institution:1)Department of Fundamental Courses,Academy of Armored Force Engineering,100072,Beijing,China;
2)Department of Physics,Beijing Normal University,100875,Beijing,China
Abstract:Within the framework of fractional-dimensional space approach,the effective length of quantum confinement is determined by an equivalent method.Result of binding energy and effective mass of a polaron confined in a GaAs film deposited on an AlxGa1 x substrate for different aluminum concentration at different values of film thickness have been investigated.
Keywords:effective length of quantum confinement  fractional-dimensional approach  polaron  GaAs film
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