| 混合杂质半导体费米能级公式及数值计算 |
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| 引用本文： | 王中长 刘天模 李家鸣. 混合杂质半导体费米能级公式及数值计算[J]. 重庆大学学报(自然科学版), 2003, 26(11): 52-55 |
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| 作者姓名： | 王中长 刘天模 李家鸣 |
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| 作者单位： | [1]重庆大学材料科学与工程学院，重庆400044 [2]国家仪表功能材料工程技术研究中心，重庆400000 |
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| 摘 要： | 利用电中性条件，结合电子和空穴浓度计算式，推导出了当施主和受主同时存在时，费米能级的计算式，并且根据实际应用条件作了讨论，推导了各种条件下的费米能级计算公式。对于推导出来的隐式方程式，利用了数据计算方法进行计算。最后讨论了单一杂质半导体的费米能级公式。对所推导出来的材料，先进行计算机数值计算，再与实验结果进行比较，结果发现，计算值与实验值吻合的很好，从而说明了理论的正确性。在具体的实际应用中，根据自己的实验情况，结合推导条件，选择出适合自己实验条件的费米能级公式加以应用。
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| 关 键 词： | 混合杂质 费米能级 数值计算 电中性条件 |
| 文章编号： | 1000-582X(2003)11-0052-04 |
| 修稿时间： | 2003-07-11 |
Formulae of Fermi Energy in Poly-doped Semiconductor and Algorithm Computation |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | poly-doped impurity Fermi energy algorithm computation electroneutrality condition |
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