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气压在由SiH_4淀积多晶硅时的作用
引用本文:李星文,王英民.气压在由SiH_4淀积多晶硅时的作用[J].河北大学学报(自然科学版),1983(1).
作者姓名:李星文  王英民
作者单位:河北大学电子系 (李星文),河北大学电子系(王英民)
摘    要:对由SiH_4淀积多晶硅的质量输运过程进行动力学分析,建立了完整的淀积模型和速率表达式,并由该式讨论了气压对淀积速率和表观激活能的影响。指出,从常压至数乇,随气压降低淀积速率提高,表观激活能降低。特别设计了突出气压影响的实验,实验结果支持理论分析的结论。还讨论了气压降低对淀积质量的影响。

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