| GaAs_（1－x）P_x：TeLED中深能级及其对发光效率的影响 |
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| 引用本文： | 陈世帛,周必忠. GaAs_（1－x）P_x：TeLED中深能级及其对发光效率的影响[J]. 厦门大学学报(自然科学版), 1995, 0(5) |
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| 作者姓名： | 陈世帛 周必忠 |
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| 摘 要： | 利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）方法研究了不同发光效率的掺Ｔｅ的ＧａＡｓ＿（１－ｘ）Ｐ＿ｘＬＥＤ中的深中心，探讨深能级对ＧａＡｓ＿（１－ｘ）Ｐ＿ｘ：ＴｅＬＥＤ发光效率的影响，结果表明，发射率激活能为０．４０ｅＶ的Ｂ能级是影响发光效率的主要无幅射中心．
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| 关 键 词： | GaAs＿（1－x）P＿x：TeLED，深能级，DLTS谱，发光效率 |
Deep-levels in GaAs_(1-x)P_x:Te LEDs and Its Effect on Luminous Effciency |
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| Chen Shibo, Zhou Bizong. Deep-levels in GaAs_(1-x)P_x:Te LEDs and Its Effect on Luminous Effciency[J]. Journal of Xiamen University(Natural Science), 1995, 0(5) |
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| Authors: | Chen Shibo Zhou Bizong |
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| Affiliation: | Dept .of Phys. |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAs_(1-x)P_x: Te LED Deep level DLTS spectrum Luminous efficiency |
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