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LaNiO_3缓冲层对Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜微结构和介电性能的影响
引用本文:石金川,张丛春,侯捷,杨春生,饶瑞. LaNiO_3缓冲层对Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜微结构和介电性能的影响[J]. 上海交通大学学报, 2009, 43(3)
作者姓名:石金川  张丛春  侯捷  杨春生  饶瑞
作者单位:上海交通大学,微纳科学技术研究院,微米/纳米加工技术国家重点实验室,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海,200240  
基金项目:国家自然科学基金,应用材料基金,国家高技术研究发展计划(863计划) 
摘    要:利用射频磁控溅射法,在Pt/Ti/SiO2/Si和LaNiO2/Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜.采用X-ray衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM),研究了两种衬底上BST薄膜样品的结晶性和表面形貌.结果表明:BST薄膜材料均为钙钛矿相,直接生长在硅衬底上的BST薄膜无择优取向,晶粒尺寸为20~30 nm,而LaNiO2缓冲层上生长的BST薄膜则为(100)择优取向,晶粒尺寸约为150~200 nm.室温下测试了薄膜的介电性能.研究结果表明,LNO缓冲层显著提高了BST薄膜的介电常数和介电可调率.

关 键 词:钛酸锶钡薄膜  镍酸镧缓冲层  射频磁控溅射  介电性能

The Effects of LaNiO3 Buffer Layer on the Microstructure and Dielectric Properties of Ba0.5 Sr0.5TiO3 Thin Films
SHI Jin-chuan,ZHANG Cong-chun,HOU Jie,YANG Chun-sheng,RAO Rui. The Effects of LaNiO3 Buffer Layer on the Microstructure and Dielectric Properties of Ba0.5 Sr0.5TiO3 Thin Films[J]. Journal of Shanghai Jiaotong University, 2009, 43(3)
Authors:SHI Jin-chuan  ZHANG Cong-chun  HOU Jie  YANG Chun-sheng  RAO Rui
Abstract:
Keywords:
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