|
|||||
|
|
| Tl在Si(111)面吸附特性理论研究 | |
| 引用本文： | 戴宪起,赵建华,孙永灿,危书义,卫国红.Tl在Si(111)面吸附特性理论研究[J].河南师范大学学报(自然科学版),2010,38(2). |
| 作者姓名： | 戴宪起 赵建华 孙永灿 危书义 卫国红 |
| 作者单位： | 河南师范大学,物理与信息工程学院,河南,新乡,453007 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，河南省高校科技创新人才支持计划 |
| 摘 要： | Ⅲ族金属元素(如Al,Ga和In)在Si表面的吸附长期以来一直受到众多理论和实验研究者的关注,最近,该族最重的元素铊(Tl)在Si(111)面吸附的独特性质引起了人们的极大兴趣.通过低能电子衍射(LEED),Visikovskiy等人1]发现Tl吸附在Si(111)表面时由于外加直流电压极性的转换表面结构在(1×1)和(√3×√3)之间存在可逆的结构改变,与Tl同族的In在表面电迁移后形成具有(4×1)结构的表面硅化物,是不可逆的. |
| 关 键 词： | 第一性原理 铊 硅(111) 吸附 电荷密度 |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ | |