|
|||||
|
|
| X射线双晶衍射研究LP—MOVPE生长的InGaAs／GaAs应变超晶格 | |
| 引用本文： | 崔敬忠,杨树人.X射线双晶衍射研究LP—MOVPE生长的InGaAs／GaAs应变超晶格[J].兰州大学学报(自然科学版),1996,32(3):58-61. |
| 作者姓名： | 崔敬忠 杨树人 |
| 作者单位： | [1]兰州大学物理系 [2]吉林大学电子工程系 |
| 摘 要： | 用金属有机气相外延生长了一系列具有不同应变、不同周期以及不同缓冲层的ＩｎＧａＡｓ应变超晶格。用Ｘ射线双晶衍射方法得到了样品的摇摆曲线。结合计算机模拟得到了样品的应变、组分等结构参数。对不同缓冲层的超晶格结构也进行了分析。 |
| 关 键 词： | 气相外延生长 超昌格 半导体 InGaAs 砷化镓 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |