| 非晶硅氢薄膜材料光稳定性的研究 |
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| 引用本文： | 薛华,周志文. 非晶硅氢薄膜材料光稳定性的研究[J]. 西北民族学院学报, 2003, 24(1): 27-30 |
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| 作者姓名： | 薛华 周志文 |
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| 作者单位： | 西北民族学院物理工程技术学院 甘肃兰州730030(薛华)，西北民族学院物理工程技术学院 甘肃兰州730030(周志文) |
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| 摘 要： | 研究a Si:H薄膜样品在长时间强光照后会引起光、暗电导率的降低 (S W效应 )及薄膜的光转换效率 实验表明 ,随着光照时间增加 ,薄膜的光接受灵敏度下降 ,光电转换效率也相应降低 ,就此提出了S W效应发生的微观模型
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| 关 键 词： | a-Si:H S-W效应 缺陷态 |
| 文章编号： | 1009-2102(2003)01-0027-04 |
| 修稿时间： | 2002-07-27 |
Study of a-Si:H Film Material Light-stability |
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| XUE Hua,ZHOU Zhi wen. Study of a-Si:H Film Material Light-stability[J]. Journal of Northwest Minorities University(Natural Science ), 2003, 24(1): 27-30 |
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| Authors: | XUE Hua ZHOU Zhi wen |
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| Abstract: | The reduction of light-dark conductivity of a-Si:H fil m has been discussed after long-time strong light irradiation in the paper.The photo-transform efficiency has been researched. The experiment indicated th at the photosensitivity and photo-transform efficiency of a-Si:H film descended as the light-irradiate time increased. The paper also explained the micro-model of S-W effect. |
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| Keywords: | a Si:H S W effect defect state |
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