| 多孔硅电学性质的初步研究 |
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| 引用本文： | 刘磁辉 王晓平. 多孔硅电学性质的初步研究[J]. 中国科学技术大学学报, 1996, 26(2): 232-236 |
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| 作者姓名： | 刘磁辉 王晓平 |
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| 摘 要： | 采用电化学方法制备多孔硅材料，形成了Ａｌ／多孔硅／单晶硅的样品结构．Ⅰ－Ⅴ特性测量表明这一结构呈现出良好的整流特性，并观察了Ⅰ－Ⅴ特性随温度变化的关系．在多孔硅层（ＰＳＬ）电导率σｓ和深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）的测量中发现：多孔硅的禁带中可能存在大量的缺陷态，它们将显著影响多孔硅的电学特性．
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| 关 键 词： | 多孔硅，电导率，缺陷态 |
Study of the Electrical Properties of Porous Silicon |
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| Liu Cihui,Wang Xiaoping,Zhao Texiu,Liu Hongtu,Lu Zhihui. Study of the Electrical Properties of Porous Silicon[J]. Journal of University of Science and Technology of China, 1996, 26(2): 232-236 |
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| Authors: | Liu Cihui Wang Xiaoping Zhao Texiu Liu Hongtu Lu Zhihui |
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| Affiliation: | Department of Physics |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | porous silicon electrical conductivity defect |
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