| III-V稀磁半导体研究进展 |
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| 引用本文： | 危书义,王天兴,阎玉丽. III-V稀磁半导体研究进展[J]. 河南师范大学学报(自然科学版), 2003, 31(2): 50-53 |
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| 作者姓名： | 危书义 王天兴 阎玉丽 |
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| 作者单位： | 河南师范大学物理与信息工程学院,河南,新乡,453002 |
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| 基金项目： | 河南省自然科学基金资助项目 (编号 :0 1110 5 10 0 0 ) |
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| 摘 要： | 低温分子束外延技术的应用，使高浓度掺杂的Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体得以成功制备，与现代半导体器件兼容．本概要地回顾了磁性半导体的发展历史，介绍了目前的实验，应用及理论进展．
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| 关 键 词： | 稀磁半导体 Ⅲ－Ⅴ族半导体 低温分子束外延 自旋电子学 铁磁性 室温铁磁 |
| 文章编号： | 1000-2367(2003)02-0050-04 |
| 修稿时间： | 2002-11-27 |
III-V Diluted Magnetic Semiconductor |
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| WEI Shu-yi,WANG Tian-xing,YAN Yu-li. III-V Diluted Magnetic Semiconductor[J]. Journal of Henan Normal University(Natural Science), 2003, 31(2): 50-53 |
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| Authors: | WEI Shu-yi WANG Tian-xing YAN Yu-li |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LT-MBE spintronics DMS RM-ferromagnetism |
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