| DC反应磁控溅射制备VO2薄膜及XPS分析 |
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| 引用本文： | 陈庆连 陈长琦 王君,方应翠 王旭迪.DC反应磁控溅射制备VO2薄膜及XPS分析[J].合肥工业大学学报(自然科学版),2005,28(10):1260-1263. |
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| 作者姓名： | 陈庆连 陈长琦 王君 方应翠 王旭迪 |
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| 作者单位： | 陈庆连（合肥工业大学,机械与汽车工程学院,安徽,合肥,230009）;陈长琦（合肥工业大学,机械与汽车工程学院,安徽,合肥,230009）;王君（合肥工业大学,机械与汽车工程学院,安徽,合肥,230009）;方应翠（合肥工业大学,机械与汽车工程学院,安徽,合肥,230009）;王旭迪（合肥工业大学,机械与汽车工程学院,安徽,合肥,230009） |
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| 摘 要： | 文章通过改变玻璃基温度和靶基间距,采用m(O2)/m(Ar)为112.5,溅射功率为190
W,工作真空度为2.2 Pa,用DC磁控溅射法在玻璃基上沉积VO2薄膜,并经真空退火处理,制备的试样通过XPS测试分析薄膜表面的元素组成及成分.测试分析结果表明,基片温度在室温或超过350℃,易于生成VO2薄膜,真空退火可以显著改善制备薄膜的氧缺陷,提高V与O的化学计量比.
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| 关 键 词： | 反应磁控溅射 工艺参数 VO2薄膜 XPS分析 |
| 文章编号： | 1003-5060(2005)10-1260-04 |
| 修稿时间： | 2004年12月22 |
Preparation of VO2
thin films by reactive DC magnetron sputtering and analysis by XPS |
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| CHEN Qing-lian.Preparation of VO2
thin films by reactive DC magnetron sputtering and analysis by XPS[J].Journal of Hefei University of Technology(Natural Science),2005,28(10):1260-1263. |
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| Authors: | CHEN Qing-lian |
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