| MOVPE生长1.55μm InGaAsP材料和InGaAsP/InP量子阱 |
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| 引用本文： | 刘宝林,杨树人,陈佰军,秦福文,王本忠,刘式墉.MOVPE生长1.55μm InGaAsP材料和InGaAsP/InP量子阱[J].吉林大学学报(理学版),1993(4). |
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| 作者姓名： | 刘宝林 杨树人 陈佰军 秦福文 王本忠 刘式墉 |
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| 作者单位： | 集成光电子学国家重点联合实验室，集成光电子学国家重点联合实验室，集成光电子学国家重点联合实验室，集成光电子学国家重点联合实验室，集成光电子学国家重点联合实验室，集成光电子学国家重点联合实验室 吉林大学电子科学系，长春 130023，吉林大学电子科学系，长春 130023，吉林大学电子科学系，长春 130023，吉林大学电子科学系，长春 130023，吉林大学电子科学系，长春 130023，吉林大学电子科学系，长春 130023 |
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| 摘 要： | 报导了LP-MOVPE InGaAsP/InP体材料和量子阱的生长.生长的与InP匹配的1.55μm波长的InGaAsP材料,在77K时光荧光半峰宽达18.7meV,InGaAsP/InP量子阱的半峰宽为18.0meV.
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| 关 键 词： | MOVPE InGaAsP 光荧光 量子阱 |
The Investigation of 1. 55 Mm InGaAsP and InGaAsP/InP Quantum Well Grown by LP-MOVPE |
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| Liu Baolin,Yang Shuren,Chen Baijun,Qin Fuwen,Wang Benzhong,Liu Shiyong.The Investigation of 1. 55 Mm InGaAsP and InGaAsP/InP Quantum Well Grown by LP-MOVPE[J].Journal of Jilin University: Sci Ed,1993(4). |
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| Authors: | Liu Baolin Yang Shuren Chen Baijun Qin Fuwen Wang Benzhong Liu Shiyong |
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| Abstract: | The present paper covers the growth of InGaAsP matched with InP and InGaAsP/InP quantum well. The full width half maximum (FWHM) of photoluminescence spectrum at 77 K is 18. 7 meV. The FWHM of InGaAsP/InP quantum well is 18. 0 meV. |
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| Keywords: | MOVPE InGaAsP PL quantum well |
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