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电容耦合氧等离子体处理ITO基片对OLED的影响
引用本文:密保秀,陆希朗,高志强,谢国伟.电容耦合氧等离子体处理ITO基片对OLED的影响[J].南京邮电大学学报(自然科学版),2008,28(1):48-52.
作者姓名:密保秀  陆希朗  高志强  谢国伟
作者单位:1. 南京邮电大学,江苏省有机电子与信息显示重点实验室,江苏,南京,210046;南京邮电大学,信息材料与纳米技术研究院,江苏,南京,210003
2. 香港浸会大学,先进发光材料中心,中国 香港
基金项目:国家攀登计划 , 香港创新科技署广州-香港工业支持计划
摘    要:在不同条件下采用电容耦合氧等离子体处理用于有机电致发光(OLED)的ITO基片,使用接触电势法测量了基片表面功函数的改变.研究发现,氧等离子体处理可以有效地提高ITO表面的功函数.X射线光电子能谱的测量揭示了其本质:氧等离子体处理可以提高表面氧原子的含量,同时降低ITO表面锡/铟原子的比例,由此导致了ITO表面功函数的提高.高功函数的ITO可降低空穴由ITO向OLED空穴传输层中注入空穴的势垒,从而提高OLED器件的性能.进一步的基于联苯二胺衍生物NPB/8-羟基喹啉铝(Alq3)的标准器件的研究证明了这一点.研究同时发现,在相同的真空和氧压条件下,保持处理时间不变,随着射频激发功率的升高,ITO表面功函数会逐渐降低.这个功函数的降低,使得OLED器件的驱动电压升高且电流效率减小.因此使用电容耦合氧等离子体处理的ITO来制备OLED器件,需要在优化的条件下进行,以达最佳效果.在本实验系统下处理条件为射频功率100 W、时间25 s.

关 键 词:有机电致发光  表面处理  功函数
文章编号:1673-5439(2008)01-0048-05
修稿时间:2007年11月6日

Influence of the Capacitive-coupling Oxygen Plasma Treatment on the ITO Substrate for OLED
MI Bao-xiu,LU Xi-lang,GAO Zhi-qiang,XIE Guo-wei.Influence of the Capacitive-coupling Oxygen Plasma Treatment on the ITO Substrate for OLED[J].Journal of Nanjing University of Posts and Telecommunications,2008,28(1):48-52.
Authors:MI Bao-xiu  LU Xi-lang  GAO Zhi-qiang  XIE Guo-wei
Institution:MI Bao-xiu1,2,LU Xi-lang3,GAO Zhi-qiang1,XIE Guo-wei31.Jiangsu Key Lab for Organic Electronics & Information Displays,Nanjing University of Posts , Telecommunications,Nanjing 210046,China2.Institute of Advanced Materials,Nanjing 210003,China3.Centre for Advanced Luminescence Materials,Hong Kong Baptist University,Hong Kong,China
Abstract:Indium tin oxide (ITO) substrates were treated by capacitive-coupling oxygen plasma under different conditions.The work functions of ITO substrates were measured via contact potential method.It was found that the ITO work function could be significantly increased by oxygen plasma treatment.The analysis of X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) showed that the oxygen content in the surface of ITO increased and the ratio of Sn/In reduced when the ITO surface was treated by oxygen plasma, resulting in the incr...
Keywords:Organic light-emitting devices  Surface treatment  Work function  
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