| 用化学浸蚀形成光致发光多孔硅的研究 |
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| 引用本文： | 莫要武 安其霖. 用化学浸蚀形成光致发光多孔硅的研究[J]. 应用科学学报, 1995, 13(4): 405-412 |
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| 作者姓名： | 莫要武 安其霖 |
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| 作者单位： | 上海大学 |
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| 摘 要： | 在ＨＦ－ＨＮＯ３水溶液中化学浸蚀单晶硅，得到了具有可见光致发光的多孔硅层（ＰＳＬ）。金相显微镜和扫描电镜（ＳＥＭ）观察表明，化学浸蚀后的表面呈绒面状，说明浸蚀具有各向异性。浸蚀过程中出现显色循环，当显色处于临界时间时，样品光致发光最强，与阳极氧化样品相比，化学浸蚀形成多孔硅的光致发光强度要弱近一个数量级，其峰值能量为１．９４－２．０４ｅＶ，半峰宽（ＦＷＨＭ）为０．３５－０．４１ｅＶ。还对比讨论了阳
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| 关 键 词： | 硅 化学浸蚀 光致发光 多孔硅 |
INVESTIGATION OF PHOTOLUMINESCENT POROUS SILICON FORMED BY CHEMICAL ETCHING |
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| Mo YAOWU AN QILIN CHEN WET LIU ZUGANG JIANG XUEYIN,SHI WEIMEN WU WENHAI. INVESTIGATION OF PHOTOLUMINESCENT POROUS SILICON FORMED BY CHEMICAL ETCHING[J]. Journal of Applied Sciences, 1995, 13(4): 405-412 |
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| Authors: | Mo YAOWU AN QILIN CHEN WET LIU ZUGANG JIANG XUEYIN SHI WEIMEN WU WENHAI |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon chemical etching photoluminescence. |
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