| 未掺杂LECSI GaAs中总EL2浓度及其费米占据函数的分布 |
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| 引用本文： | 杨瑞霞,李光平.未掺杂LECSI GaAs中总EL2浓度及其费米占据函数的分布[J].应用科学学报,1995,13(2):189-194. |
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| 作者姓名： | 杨瑞霞 李光平 |
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| 作者单位： | 河北工学院，天津电子材料研究所 |
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| 摘 要： | 用“多波长红外吸收”的方法测量了未掺杂半绝缘（ＳＩ）ＬＥＣ ＧａＡｓ中电离的和电中性ＥＬ２浓度径向分布，并由此得到了总ＥＬ２浓度及其费米占据函数（ｆｎ）的分布。结果表明：电离的、电中性的和总的ＥＬ２及ＥＬ２的费米占据函数均呈不均匀分布。电中性的和总ＥＬ２浓度径向分布均为Ｗ形，电中性ＥＬ２Ｗ形径向分布不是由于ｆｎ的波动。
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| 关 键 词： | EL2 红外吸收 浓度 砷化镓 费米占据函数 |
DISTRIBUTION OF TOTAL EL2 CONCENTRATION AND ITS FERMI OCCUPANCY FUNCTION IN UNDOPED LECSI GaAs |
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| YANG RUIXIA.DISTRIBUTION OF TOTAL EL2 CONCENTRATION AND ITS FERMI OCCUPANCY FUNCTION IN UNDOPED LECSI GaAs[J].Journal of Applied Sciences,1995,13(2):189-194. |
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| Authors: | YANG RUIXIA |
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| Institution: | YANG RUIXIA(Hebei Institute of Technology)LIGUANGPING WANG QIN(Tianjin Electronic Materials Research lnstitute) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | EL2 GaAs infrared absorption distribution concentration |
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