氮在β—SiC(100)表面上吸附性质的初步研究 |
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引用本文: | 路文昌,张开明.氮在β—SiC(100)表面上吸附性质的初步研究[J].复旦学报(自然科学版),1994,33(3):255-260. |
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作者姓名: | 路文昌 张开明 |
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作者单位: | 复旦学物理学系 |
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摘 要: | 用电荷自洽的推广休克尔理论和集团模型,研究了氮在β-SiC(100)面上吸附的特性。计算发现,氮主要与硅面发生相互作用而不易吸附于碳面。吸附位置以桥位最稳定,这里,氮原子轨道发生sp^2杂化,两个杂化轨道饱和硅厚子的悬挂键。此外还在推广休克尔理论的框架下,计算了氮吸附的(3×1)超结构的电子态密度,计算表明,在原禁带中不存在表面态。
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关 键 词: | 碳化硅 表面吸附 杂化轨道 氮 |
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