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责任编辑
分类号
杂志ISSN号
不同衬底对溅射Pb(Zr_(0.8)Ti_(0.20))O_3薄膜的结构及其性能的影响
作者姓名:
蒲朝辉
刘洪
吴家刚
朱基亮
肖定全
朱建国
作者单位:
四川大学材料科学与工程学院 四川大学材料科学与工程学院 成都
摘 要:
利用射频磁控溅射法在低阻Si,Si O2/Si以及Pt/Ti/Si O2/Si等不同衬底上制备了Pb(Zr0.8Ti0.2)O3薄膜.利用XRD,SEM等对薄膜的结构性能进行了分析,结果发现不同衬底对溅射制备的PZT薄膜的结构有很大影响.在Pt/Ti/Si O2/Si衬底上制备的PZT薄膜经600℃退火1h后,薄膜表面光滑、无裂纹,XRD分析显示PZT薄膜呈完全钙钛矿结构,测试PZT薄膜的电学性能,表明PZT薄膜具有良好的介电性能.
关 键 词:
PZT薄膜
磁控溅射
衬底
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