| 半导体光放大器宽带ASE噪声谱数值模型 |
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| 引用本文： | 陈俊,刘应开,杜雷鸣.半导体光放大器宽带ASE噪声谱数值模型[J].云南师范大学学报(自然科学版),2003,23(5):29-33. |
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| 作者姓名： | 陈俊 刘应开 杜雷鸣 |
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| 作者单位： | 云南师范大学物理与电子信息学院,云南,昆明,650092 |
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| 基金项目： | 云南师范大学青年基金 2 0 0 2年资助项目 ( 2 0 0 3 0 0 3 ) |
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| 摘 要： | 采用宽带数值模型，计算了半导体光放大器(SOA)中宽带ASE谱在空间和频域的演化。结果表明，在SOA有源区内的载流子密度分布是高度非均匀的。在小信号注入时，正向和背向ASE是引起SOA中强的纵向空间烧孔效应的主要因素。
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| 关 键 词： | 半导体光放大器 自发辐射 宽带ASE噪声谱 数值模型 载流子 空间烧孔效应 |
| 文章编号： | 1007-9793(2003)05-0029-05 |
| 修稿时间： | 2003年1月2日 |
Wideband ASE noise spectrum numerical model of semiconductor optical amplifier |
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| CHEN Jun,LIU Yingkai,DU Leiming.Wideband ASE noise spectrum numerical model of semiconductor optical amplifier[J].Journal of Yunnan Normal University (Natural Sciences Edition),2003,23(5):29-33. |
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| Authors: | CHEN Jun LIU Yingkai DU Leiming |
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| Abstract: | The space and spectrum evolutions of ASE in semiconductor optical amplifier is investigated by means of a wideband numerical model. The simulation reaults show that the carrier densities distribution within the active layer of SOA are highly non-uniform. At small signal injection, the occurrence of longitudinal spatial hole burning mainly due to the forward and backward traveling amplified spontaneous emission(ASE)along the active layer of SOA. |
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| Keywords: | semiconductor optical amplifier ASE noise spatial hole burning |
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