| GaAs红外发光二极管的可靠性研究 |
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| 引用本文： | 朱光华,黄颂羽.GaAs红外发光二极管的可靠性研究[J].华东理工大学学报(自然科学版),1997,23(4):499-502. |
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| 作者姓名： | 朱光华 黄颂羽 |
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| 作者单位： | [1]华东理工大学电教中心 [2]华东理工大学物理系 |
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| 摘 要： | 从反向测试中出现的二次击穿器件，分析了其失效原因，表明晶体内缺陷或机械损伤琪的热斑引起器件发生二次击穿，从而提出了工艺改进措施。
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| 关 键 词： | 砷化镓 发光二极管 可靠性 红外发光二极管 |
Study on the Reliability of GaAs Light emitting Diode |
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| Zhu Guanghua.Study on the Reliability of GaAs Light emitting Diode[J].Journal of East China University of Science and Technology,1997,23(4):499-502. |
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| Authors: | Zhu Guanghua |
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| Institution: | Zhu Guanghua * |
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