| CsI/Ni薄膜系统的化学深度剖面分布 |
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| 引用本文： | 杨伟毅,徐登高,王广林,高频,刘元震. CsI/Ni薄膜系统的化学深度剖面分布[J]. 南京理工大学学报(自然科学版), 1991, 0(3) |
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| 作者姓名： | 杨伟毅 徐登高 王广林 高频 刘元震 |
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| 作者单位： | 华东工学院光电技术系(杨伟毅，徐登高，王广林，高频)，华东工学院光电技术系(刘元震) |
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| 摘 要： | 利用XPS研究了CsI/Ni薄膜系统的深度剖面分布,研究结果指出:CsI膜在20～200℃的温度范围内是热稳定的,而且CsI膜厚度随烘烤温度增加而增加。由于Ni扩散至CsI层内,CsI/Ni紫外光电阴极长波阈向长波延伸。
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| 关 键 词： | 薄膜 光电阴极 表面分析 |
The Chemical Depth Ptofiles of CsI/Ni Thin Film Systems. |
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| Yang Weiyi. The Chemical Depth Ptofiles of CsI/Ni Thin Film Systems.[J]. Journal of Nanjing University of Science and Technology(Nature Science), 1991, 0(3) |
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| Authors: | Yang Weiyi |
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| Affiliation: | Yang Weiyi Department of Optical and Electronic et al |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | thin films photocathode surface analysis |
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