硅基GaN蓝光LED外延材料转移前后性能 |
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作者姓名: | 熊传兵 江风益 方文卿 王立 刘和初 莫春兰 |
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作者单位: | 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047 |
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基金项目: | 国家高技术研究发展计划(863计划);信息产业部电子发展基金;南昌大学校科研和教改项目 |
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摘 要: | 利用外延片焊接技术, 把Si(111)衬底上生长的GaN 蓝光LED外延材料压焊到新的Si衬底上. 在去除原Si衬底和外延材料中缓冲层后, 制备了垂直结构GaN 蓝光LED. 与外延材料未转移的同侧结构相比, 转移后的垂直结构GaN 蓝光LED的电学性能、发光性能和结构性能明显改善, 光输出功率显著提高. 垂直结构LED的GaN层受到的张应力比同侧结构LED小.
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关 键 词: | LED Si 外延片压焊 垂直结构 GaN |
收稿时间: | 2005-08-01 |
修稿时间: | 2005-08-012006-03-20 |
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