| 硅基GaN蓝光LED外延材料转移前后性能 |
| |
| 引用本文： | 熊传兵,江风益,方文卿,王立,刘和初,莫春兰.硅基GaN蓝光LED外延材料转移前后性能[J].中国科学(E辑),2006,36(7):733-740. |
| |
| 作者姓名： | 熊传兵 江风益 方文卿 王立 刘和初 莫春兰 |
| |
| 作者单位： | 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047 |
| |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划);信息产业部电子发展基金;南昌大学校科研和教改项目 |
| |
| 摘 要： | 利用外延片焊接技术, 把Si(111)衬底上生长的GaN 蓝光LED外延材料压焊到新的Si衬底上. 在去除原Si衬底和外延材料中缓冲层后, 制备了垂直结构GaN 蓝光LED. 与外延材料未转移的同侧结构相比, 转移后的垂直结构GaN 蓝光LED的电学性能、发光性能和结构性能明显改善, 光输出功率显著提高. 垂直结构LED的GaN层受到的张应力比同侧结构LED小.
|
| 关 键 词： | LED Si 外延片压焊 垂直结构 GaN |
| 收稿时间： | 2005-08-01 |
| 修稿时间： | 2005-08-012006-03-20 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《中国科学(E辑)》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《中国科学(E辑)》下载免费的PDF全文 |
|
