| SiGe HBT低温敏宽带低噪声放大器设计 |
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| 引用本文： | 魏正华,叶小兰,刘卫,张玲玉. SiGe HBT低温敏宽带低噪声放大器设计[J]. 东莞理工学院学报, 2021, 28(5): 25-30 |
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| 作者姓名： | 魏正华 叶小兰 刘卫 张玲玉 |
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| 作者单位： | 长沙民政职业技术学院 电子信息工程学院,湖南长沙 410000;长沙环境保护职业技术学院 环境监测系,湖南长沙 410000 |
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| 摘 要： | 采用两级锗硅异质结晶体管(SiGe HBT)低噪声放大芯片,通过ADS2015进行宽带电路匹配设计了一款频率覆盖超短波到L波段的宽带低噪声放大器(LNA).仿真显示该LNA工作频率在0.07～2 GHz,增益Gain>30 dB,噪声系数NF<0.78,增益平坦度Gain Flatness<0.2 dB,输入输出回波损耗Return Loss<-10 dB.实测结果显示常温下该LNA测试指标和仿真结果基本一致,233 K低温下该LNA的Gain实测值比常温下测试结果增大1 dB左右,其它指标基本一致,证实了采用SiGe HBT放大芯片设计的低噪声放大器噪声性能良好且具有低温敏特性.
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| 关 键 词： | 宽带电路匹配 低噪声放大器 低温 低温敏特性 |
Design of SiGe HBT Low Temperature Sensitive Broadband Low Noise Amplifier |
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| WEI Zhenghua,YE Xiaolan,LIU Wei,ZHANG Lingyu. Design of SiGe HBT Low Temperature Sensitive Broadband Low Noise Amplifier[J]. Journal of Dongguan Institute of Technology, 2021, 28(5): 25-30 |
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| Authors: | WEI Zhenghua YE Xiaolan LIU Wei ZHANG Lingyu |
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