| M/a-Si势垒的静态分析 |
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| 引用本文： | 颜一凡.M/a-Si势垒的静态分析[J].湖南大学学报(自然科学版),1989,16(2). |
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| 作者姓名： | 颜一凡 |
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| 作者单位： | 湖南大学应用物理系 |
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| 摘 要： | 本文证明:对于任意连续的晶硅(α-S1)隙态密度分布g(E),非晶硅肖特基势垒(M/α-Si)的剖面是V(x)=A(x)(V_(bi)-u)exp(-Lx)+uA(x)=(exp(-2L(x_n-x))+1)/(exp(-2Lx_n)+1)这里u=r/L~2, r=en_e/kk_0, L~2=α~2g(Ei)/kk_0,x_n是势垒宽度.n_0是导带过剩电子密度,k和k_0分别是α-Si的介电常数和真空电容率.如果隙态过剩电子密度N_t>>n_e,则有V(x)=V_(bi)·exp(-Lx)这里V_(bi)是M/a-Si的内建势,而N_t=g(Ei)(E_(fn)-E(fi), N_1+n_e=N?这里E(fn)和E(fi)分别是n型α-Si和本征α-Si的费米能级,N?是电离施主浓度,g(E_i)是E=E_i时g(E)的值,并且在本文中称它为"α-Si有效隙态密度”.
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| 关 键 词： | 非晶硅 肖特基势垒 隙态密度分布 |
The Static Analysis M/a-Si Barrier |
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| Yan Yifan.The Static Analysis M/a-Si Barrier[J].Journal of Hunan University(Naturnal Science),1989,16(2). |
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| Authors: | Yan Yifan |
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| Institution: | Yan Yifan Department of Applied Physics |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | amorphous silicon Schottky barrier gap state density distribution |
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