| Si/SiN_x多层膜能带结构的理论研究 |
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| 引用本文： | 徐明,魏屹,何贤模,芦伟. Si/SiN_x多层膜能带结构的理论研究[J]. 四川师范大学学报(自然科学版), 2010, 33(4). DOI: 10.3969/j.issn.1001-8395.2010.04.031 |
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| 作者姓名： | 徐明 魏屹 何贤模 芦伟 |
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| 作者单位： | 四川师范大学,物理与电子工程学院&固体物理研究所,四川,成都,610066 |
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| 基金项目： | 教育部留学回国人员科研启动项目，四川省青年科技基金 |
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| 摘 要： | 利用Kronig-Penney模型计算了Si/SiNx多层膜结构中Si亚层的能带结构.结果表明,无论是减少Si或Si/SiNx亚层的厚度都将导致Si层的带隙发生宽化,计算结果与实验值符合较好.进而还发现,当Si层厚度减小时,Si/SiNx多层膜结构中载流子(电子和空穴)的有效质量均减小,有利于对载流子复合发光的控制.计算结果对实验上研究发光可控的Si/SiNx多层膜结构有重要指导意义.
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| 关 键 词： | K-P模型 多层膜 能带结构 量子限制效应 |
Theoretic Study on Band Structure of Si/SiNx Multilayer Film |
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| XU Ming,WEI Yi,HE Xian-mu,LU Wei. Theoretic Study on Band Structure of Si/SiNx Multilayer Film[J]. Journal of Sichuan Normal University(Natural Science), 2010, 33(4). DOI: 10.3969/j.issn.1001-8395.2010.04.031 |
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| Authors: | XU Ming WEI Yi HE Xian-mu LU Wei |
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