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| 金属电极结构及工艺对SiC光导开关寿命的影响 | |
| 引用本文： | 宋业生,陈士英.金属电极结构及工艺对SiC光导开关寿命的影响[J].科技资讯,2012(35). |
| 作者姓名： | 宋业生 陈士英 |
| 作者单位： | 东莞市五峰科技有限公司,广东东莞,511700 |
| 基金项目： | 广东省产学研项目;项目编号2010B090400479 |
| 摘 要： | 本文研究了金属电极结构和工艺对SiC光导开关寿命的影响。SiC光导开关采用钒掺杂的半绝缘6H-SiC基片,以Ti/Al/Ti/Au为接触电极,以重掺杂n＋-GaN薄膜为次接触层。电极结构具有不同的参数,且所经过的退火温度也不同。开关寿命测试实验表明：退火温度对SiC光导开关的寿命影响最大;边缘间隙应越小越好,但受到制备工艺限制;1μm的结合层厚度是足够的。 |
| 关 键 词： | SiC光导开关 脉冲功率 寿命 |
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