用掺砷二氧化硅乳胶源作砷在硅中扩散的研究 |
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作者单位: | 中山大学物理系半导体专业73级师生赴连县实习分队 |
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摘 要: | 本工作研究了掺砷二氧化硅乳胶源的制备、涂布及扩散工艺、扩散规律。把掺砷乳胶源应用到集成电路TTLSM323生产的隐埋扩散中去,得到了显著降低低电平开启电压的良好效果。实验表明,掺砷乳胶源扩散的扩散系数明显地高于气相扩散的扩散系数,扩散后的热处理对电活性砷总量有显著影响,扩散激活能随温度增高而变小。本文提出掺砷乳胶源扩散除了砷的空位扩散机构之外,还存在填隙式扩散机构,解释了实验结果。
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