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| I_t和Q_t法测量MOS结构少子寿命和表面产生速度 | |
| 引用本文： | 梁国芹.I_t和Q_t法测量MOS结构少子寿命和表面产生速度[J].华南师范大学学报(自然科学版),1984,0(1):1. |
| 作者姓名： | 梁国芹 |
| 摘 要： | 本文介绍的测量MOS结构少数载流子寿命(τg)和表面产生速度(S)的I—t和Q—t法,其基本理论建立在C·R·Viswanathan的Q—t法的基础上.用国产仪器装备而成I—t和Q—t测量装置.本法在实验数据处理上较Q—t法简便而计算结果也更为准确.本法的测量结果与C—t法的测量结果有较好的吻合. |
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