| 离子束溅射沉积角对Ni／Si膜界面特性影响的研究 |
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| 引用本文： | 王培禄,刘仲阳,姜景云. 离子束溅射沉积角对Ni／Si膜界面特性影响的研究[J]. 四川大学学报(自然科学版), 1994, 31(1): 73-77 |
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| 作者姓名： | 王培禄 刘仲阳 姜景云 |
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| 作者单位： | 原子核科学技术研究所 |
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| 摘 要： | 用Ａｒ~＋离子束溅射高纯多晶Ｎｉ靶，在Ｓｉ（１００）基面上沉积１５０ｎｍ的Ｎｉ膜。经４００℃的真空退火１小时后，分别用ＸＲＤ和ＸＰＳ检验了两种大小不同角度上沉积试样的生成相及界面态。当沉积角≥６６°时，试样退火后仅出现Ｎｉ膜择优取向晶化，无硅化物生成。而在接近０°的小角度处沉积的试样，在相同条件退火后则出现以ＮｉＳｉ为主的三种硅化物混合相。
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| 关 键 词： | 离子束 溅射 界面 硅化物 薄膜 |
EFFECT OF DEPOSITING ANGLE IN ION BEAM SPUTTERING ON INTERFACE CHARACTER OF Ni/Si FILM |
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| Wang Peilu Liu Zhongyang Jiang Jingyun. EFFECT OF DEPOSITING ANGLE IN ION BEAM SPUTTERING ON INTERFACE CHARACTER OF Ni/Si FILM[J]. Journal of Sichuan University (Natural Science Edition), 1994, 31(1): 73-77 |
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| Authors: | Wang Peilu Liu Zhongyang Jiang Jingyun |
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| Affiliation: | Institute of nuclear science and technology |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ion beam sputtering interface silicide. |
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