一种高性能低功耗的双节点翻转加固锁存器 |
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引用本文: | 黄正峰,姚慧杰,李先东,王敏.一种高性能低功耗的双节点翻转加固锁存器[J].合肥工业大学学报(自然科学版),2019,42(12). |
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作者姓名: | 黄正峰 姚慧杰 李先东 王敏 |
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作者单位: | 合肥工业大学 电子科学与应用物理学院,安徽 合肥 230601;合肥工业大学 电子科学与应用物理学院,安徽 合肥 230601;合肥工业大学 电子科学与应用物理学院,安徽 合肥 230601;合肥工业大学 电子科学与应用物理学院,安徽 合肥 230601 |
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基金项目: | 国家自然科学基金;安徽省自然科学基金 |
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摘 要: | 随着半导体工艺尺寸的发展,时钟频率越来越高,临界电荷变得越来越小,电路节点之间的电荷共享效应变得愈加严重,因此导致多节点翻转(multiple node upsets,MNU)的几率变大。为了解决MNU的问题,文章提出了一种高性能低功耗的双节点翻转加固锁存器(HLDRL),当受到单粒子效应影响时,具有单节点翻转(single node upset,SNU)和双节点翻转(double node upsets,DNU)的自恢复能力。该锁存器由18个异构输入反相器组成,仿真实验结果显示该锁存器具有优良的容错性能,可以实现DNU的完全自恢复,而且对高阻态不敏感。与其他容忍DNU的锁存器相比,该锁存器具有较小的开销,延迟和功耗延迟积分别减小了46.83%和45.85%。
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关 键 词: | 软错误 单节点翻转(SNU) 双节点翻转(DNU) 高阻态 异构输入反相器 |
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