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一种高性能低功耗的双节点翻转加固锁存器
引用本文:黄正峰,姚慧杰,李先东,王敏.一种高性能低功耗的双节点翻转加固锁存器[J].合肥工业大学学报(自然科学版),2019,42(12).
作者姓名:黄正峰  姚慧杰  李先东  王敏
作者单位:合肥工业大学 电子科学与应用物理学院,安徽 合肥 230601;合肥工业大学 电子科学与应用物理学院,安徽 合肥 230601;合肥工业大学 电子科学与应用物理学院,安徽 合肥 230601;合肥工业大学 电子科学与应用物理学院,安徽 合肥 230601
基金项目:国家自然科学基金;安徽省自然科学基金
摘    要:随着半导体工艺尺寸的发展,时钟频率越来越高,临界电荷变得越来越小,电路节点之间的电荷共享效应变得愈加严重,因此导致多节点翻转(multiple node upsets,MNU)的几率变大。为了解决MNU的问题,文章提出了一种高性能低功耗的双节点翻转加固锁存器(HLDRL),当受到单粒子效应影响时,具有单节点翻转(single node upset,SNU)和双节点翻转(double node upsets,DNU)的自恢复能力。该锁存器由18个异构输入反相器组成,仿真实验结果显示该锁存器具有优良的容错性能,可以实现DNU的完全自恢复,而且对高阻态不敏感。与其他容忍DNU的锁存器相比,该锁存器具有较小的开销,延迟和功耗延迟积分别减小了46.83%和45.85%。

关 键 词:软错误  单节点翻转(SNU)  双节点翻转(DNU)  高阻态  异构输入反相器
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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