| 一种高精度曲率补偿CMOS带隙基准的设计 |
| |
| 引用本文： | 王新亚,解光军. 一种高精度曲率补偿CMOS带隙基准的设计[J]. 合肥工业大学学报(自然科学版), 2007, 30(12): 1702-1704 |
| |
| 作者姓名： | 王新亚 解光军 |
| |
| 作者单位： | 合肥工业大学,理学院,安徽,合肥,230009;合肥工业大学,理学院,安徽,合肥,230009 |
| |
| 基金项目： | 安徽省优秀青年科技基金资助项目(06042086) |
| |
| 摘 要： | 普通的一阶补偿带隙基准因忽略了VBE的高阶非线性项,其温度系数一般在20×10-6~30×10-6/℃,不能满足高精度系统的设计要求,因此为了得到温度系数更好的基准电压,需要对带隙基准中VBE的高阶项进行补偿。文章利用工作在亚阈值区MOS管的I-V指数特性,分别对低温及高温条件下VBE的高阶非线性项进行了补偿,从而实现了高精度基准电压。
|
| 关 键 词： | 带隙基准 曲率补偿 温度系数 亚阈值区 |
| 文章编号： | 1003-5060(2007)12-1702-03 |
| 修稿时间： | 2006-11-27 |
A high-precision curvature-compensated bandgap voltage reference |
| |
| WANG Xin-ya,XIE Guang-jun. A high-precision curvature-compensated bandgap voltage reference[J]. Journal of Hefei University of Technology(Natural Science), 2007, 30(12): 1702-1704 |
| |
| Authors: | WANG Xin-ya XIE Guang-jun |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | bandgap reference curvature compensation temperature coefficient sub-threshold region |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
