| 用高频电容—电压法研究GD—a—Si：H的隙态密度 |
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| 引用本文： | 王印月 胡著华. 用高频电容—电压法研究GD—a—Si：H的隙态密度[J]. 兰州大学学报(自然科学版), 1989, 25(4): 41-49 |
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| 作者姓名： | 王印月 胡著华 |
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| 摘 要： |
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| 关 键 词： | 异质结 隙态密度 晶硅 电压法 |
A Study on Density of Gap States in GD-a-Si:H Films by High Frequency Capacitance-Voltage Method |
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| Wang Yinyue,Hu Zhuhua,Chen Guanghua. A Study on Density of Gap States in GD-a-Si:H Films by High Frequency Capacitance-Voltage Method[J]. Journal of Lanzhou University(Natural Science), 1989, 25(4): 41-49 |
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| Authors: | Wang Yinyue Hu Zhuhua Chen Guanghua |
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| Affiliation: | Wang Yinyue;Hu Zhuhua;Chen Guanghua |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | heterojunction density of gap states |
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