| 两次制结提高n~+p型Si太阳电池转换效率的研究 |
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| 引用本文： | 高华,杨乐,周光华,解光军. 两次制结提高n~+p型Si太阳电池转换效率的研究[J]. 合肥工业大学学报(自然科学版), 2010, 33(6) |
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| 作者姓名： | 高华 杨乐 周光华 解光军 |
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| 作者单位： | 1. 上海超日太阳能科技股份有限公司,上海,201406
2. 合肥工业大学,电子科学与应用物理学院,安徽,合肥,230009 |
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| 摘 要： | 文章提出通过2次恒定源扩散和恒量扩散制作n+p型硅太阳电池的新工艺。与常规的一次制结工艺相比,新的扩散方法可以减缓高浓度浅结磷扩对硅表层带来的晶格损伤,所制作的太阳电池短路电流Isc提高了约0.7%,开路电压Voc也有明显改善,光电转换效率从常规工艺所制备电池的17.34%提高到17.70%。
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| 关 键 词： | 硅太阳电池 磷扩散 缺陷复合 2次制结 |
On improving the conversion efficiency of n+p type silicon solar cell by means of two times junction making |
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| GAO Hua,YANG Le,ZHOU Guang-hua,XIE Guang-jun. On improving the conversion efficiency of n+p type silicon solar cell by means of two times junction making[J]. Journal of Hefei University of Technology(Natural Science), 2010, 33(6) |
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| Authors: | GAO Hua YANG Le ZHOU Guang-hua XIE Guang-jun |
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