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| GaInP/ ( AlxGa1- x ) InP 多量子阱结构的光荧光特性分析 | |
| 引用本文： | 陈练辉,范广涵,陈贵楚,吴文光,李华兵.GaInP/ ( AlxGa1- x ) InP 多量子阱结构的光荧光特性分析[J].华南师范大学学报(自然科学版),2003,0(3):60-63. |
| 作者姓名： | 陈练辉 范广涵 陈贵楚 吴文光 李华兵 |
| 作者单位： | 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东广州,510631 |
| 基金项目： | 国家科技攻关计划基金资助项目(00-068) |
| 摘 要： | 利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)技术生长了GaInP／(AlxGa1-x)InP多量子阱(MQW)结构材料，对其进行光荧光特性测量，观察到在波长λ=647．8mm和λ=861．6nm处分别存在一个强发光锋和一个弱发光峰．理论计算和实测结果基本一致． |
| 关 键 词： | GaInP／（AlxGa1-x）InP 多量子阱 光荧光特性 发光二极管 半导体 光荧光谱 发光锋 |
| 文章编号： | 1000-5463(2003)03-0060-04 |
| 修稿时间： | 2002年12月17 |
PHOTOLUMINESCENCE OF GaInP/(AlxGa1-x)InP MULTI-QUANTUM WELL |
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| Abstract: | |
| Keywords: | GaInP/(AlxGa1-x)InP |
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