| 多晶硅电阻中晶粒数、晶粒平均长度及激活能的确定 |
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| 引用本文： | 阮刚,Thomas Otto,肖夏,Thomas Gessner.多晶硅电阻中晶粒数、晶粒平均长度及激活能的确定[J].复旦学报(自然科学版),2000,39(2):135-140. |
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| 作者姓名： | 阮刚 Thomas Otto 肖夏 Thomas Gessner |
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| 作者单位： | 复旦大学为 |
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| 摘 要： | 提出了一种基于实测伏安特性确定多晶硅电阻中晶粒数及晶粒平均长度的方法。用该法得出的结果同透射电子显微镜的实测统计结果符合较好，平均偏差小于１５％，给出了基于多晶硅电阻电流温度关系实测曲线得出的晶粒边界激活能。结果显示：经Ｈ２气氛４５０℃３０ｍｉｎ退火的样品，其激活能高于未退火的。
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| 关 键 词： | 多晶硅电阻 晶粒数 晶粒平均长度 激活能 |
| 文章编号： | 0127-7104(2000)02-0135-06 |
Determination of the Number of Grains ,the Average Length of Grain and the Activation Energy in Polysilicon Resistor |
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| RUAN Gang,Thomas Otto,XIAO Xia,Reinhard Streiter,Thomas Gessner.Determination of the Number of Grains ,the Average Length of Grain and the Activation Energy in Polysilicon Resistor[J].Journal of Fudan University(Natural Science),2000,39(2):135-140. |
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| Authors: | RUAN Gang Thomas Otto XIAO Xia Reinhard Streiter Thomas Gessner |
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| Institution: | 1. 复旦大学
2. Technical University of Chemnitz,Germany |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | polysilicon resistor number of grain average length of grain activation energy |
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