| Sb掺杂对ATO薄膜光电性能的影响 |
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| 作者姓名： | 季燕青 高延敏 李思莹 代仕梅 |
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| 作者单位： | 江苏科技大学材料科学与工程学院,江苏 镇江,212003;江苏科技大学材料科学与工程学院,江苏 镇江,212003;江苏科技大学材料科学与工程学院,江苏 镇江,212003;江苏科技大学材料科学与工程学院,江苏 镇江,212003 |
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| 摘 要： | 以无水SnCl4和SbCl3为原料,采用溶胶-凝胶浸渍提拉镀膜法制备锑掺杂二氧化锡(ATO)导电薄膜,并采用XRD、SEM、霍尔效应(Halleffect)、四探针法、UV-Vis等测试手段表征不同Sb掺杂量对ATO薄膜结构及其光电性能的影响。结果表明,Sb的掺杂提高了ATO薄膜的导电性能和光学性能;Sb掺杂量为8%时ATO薄膜的电阻率低达0.048Ω.cm,平均光透射率高达84%,薄膜的综合性能达到最佳。
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| 关 键 词： | ATO薄膜 Sb掺杂 光电性能 |
| 收稿时间： | 9/6/2012 12:00:00 AM |
Effect of Sb doping content on photoelectric properties of ATO thin films |
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| Authors: | Ji Yanqing Gao Yanmin Li Siying and Dai Shimei |
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| Institution: | School of Materials Science and Engineering, Jiangsu University of Science and Technology, Zhenjiang 212003, China;School of Materials Science and Engineering, Jiangsu University of Science and Technology, Zhenjiang 212003, China;School of Materials Science and Engineering, Jiangsu University of Science and Technology, Zhenjiang 212003, China;School of Materials Science and Engineering, Jiangsu University of Science and Technology, Zhenjiang 212003, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ATO film Sb doping photoelectric property |
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