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| 界面调控二维六方氮化硼单晶外延生长取得新进展 | |
| 引用本文： | 吴克辉.界面调控二维六方氮化硼单晶外延生长取得新进展[J].科学通报,2019,64(21):2163-2165. |
| 作者姓名： | 吴克辉 |
| 作者单位： | 中国科学院物理研究所,表面物理国家重点实验室,北京100190 |
| 摘 要： | 正近年来,随着芯片内元器件尺寸的不断减小,短沟道效应、热效应等日趋明显,开发全新的二维量子材料体系以实现变革性的器件应用已成为当前的研究热点.高端器件的规模化应用必须基于大面积、高品质的单晶材料,因此二维单晶材料的制备研究具有重要的科学意义和技术价值.2019年5月22日,Nature在线发表了题为"Epitaxial |
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